学术报告：用离子注入和脉冲激光熔融实现半导体材料的过饱和掺杂

作者：王志君

       2019年10月17日上午，应四川大学原子核科学技术研究所邀请，德国德累斯顿-罗森道夫亥姆霍兹研究中心离子束物理与材料研究所半导体研究室主任周生强研究员在720所学术报告厅做了题为“用离子注入和脉冲激光熔融实现半导体材料的过饱和掺杂”的学术报告。本场报告由720所张坤教授主持，所内师生近30人积极参与。

       周生强研究员首先介绍了德国科研体系、发展现状和其所在单位的情况。然后从半导体掺杂的理论基础出发，引入其团队的研究方向和研究方法，通过对比提出了利用离子注入和闪光灯加热（μs级）、脉冲激光熔融（ns级）进行半导体掺杂的优点，例如可掺杂元素的广泛性、掺杂浓度和深度的可控性等。最后周生强研究员通过几个掺杂实例对其工作进行了详细介绍，例如GaMnAs、InP半导体表现出优异的电磁、铁磁特性等；另外通过注入Te实现了Si半导体的高浓度掺杂(掺杂浓度超过4%)，掺杂后形成的深能级可将Si半导体的吸光范围拓宽至中红外区。

       报告完毕后，本所师生和周生强研究员进行了热烈的交流互动，周生强研究员就多个问题进行了详细的解答，例如“掺杂深度是多少？对体相材料的影响？是否可以边进行离子注入边退火处理？间隙离子如何检测？”等。

      通过此次报告，我所师生了解了离子注入技术和亚秒级表面退火技术，学习了卢瑟福背散射实验技术，对半导体掺杂技术及研究方法有了新的认识，增强了所内外的深度科研交流，为我所今后科研水平的提高起到了积极的促进作用。