科学研究

教研组介绍 研究成果 学术动态 实验室安全

研究成果

您当前位置： 科学研究 研究成果

获奖 论文 专利 著作

一种新型多孔硅及其制备方法（ZL 201110344679.2）

发布日期：2018-06-07浏览次数：570

    本发明公开了一种新型多孔硅及其制备方法 ：多孔硅结构为在低掺杂、 N 型单晶硅片基体内，形成柱形纳米多孔硅并封闭直孔空腔，表面为纳米多孔硅 ；采用电化学腐蚀的方法，在 HF 酸和有机溶剂混合溶液中，通过控制混合溶液配比、直流电源的电压和电流制备这种新型多孔硅结构。这种新型多孔硅结构及制备方法，为传感器、自爆芯片、发光器件等与硅基微纳器件的整合提供新的技术途径和方法。